賽默飛電子顯微鏡將成熟的技術(shù)和創(chuàng )新的功能結合，是需要對日益復雜的結構和更小的尺寸進(jìn)行更大量精確測量的半導體和內存環(huán)境的平臺是半導體和存儲環(huán)境對先進(jìn)制程日益復雜的結構和不斷縮小的尺寸進(jìn)行大量精準測量的平臺。
賽默飛電子顯微鏡擁有透鏡內背散射探測器T1，其位置緊靠樣品以便盡可能多地收集信號，從而確保在很短的時(shí)間內采集數據。與其他背散射探測器不同，這種快速的探測器始終可保證良好的材料對比度，在導航時(shí)、傾斜時(shí)或工作距離很短時(shí)也不例外。
在敏感樣品上，探測器的價(jià)值凸現出來(lái)，即使電流低至幾pA，它也能提供清晰的背散射圖像。復合末級透鏡通過(guò)能量過(guò)濾實(shí)現更準確的材料對比度以及絕緣樣品的無(wú)電荷成像，進(jìn)一步延伸了T1BSE探測器的潛在價(jià)值。它還提供了流行選項來(lái)補充其探測能力，例如定向背散射探測器和低真空氣體分析探測器(GAD)。所有這些探測器都擁有的軟件控制分割功能，以便根據需求選擇最有價(jià)值的樣品信息。
賽默飛電子顯微鏡按照標準配備各種用以處理絕緣樣品的策略，對于最有挑戰性的應用，可提供電荷緩解策略。其中包括可選的低真空(最高為500Pa)策略，通過(guò)經(jīng)現場(chǎng)驗證的穿鏡式差分抽氣機構和專(zhuān)用低真空探測器，不但可以緩解任何樣品上的電荷，還能提供分辨率和較大的分析電流。
